产品名称

NF-300H
HTM PECVD设备?

产品介绍

NF-300H 设备由拓荆科技承担了国家十三五重大专项，自主研发，拥有自主知识产权。应用于128层及以上3D NAND闪存芯片的生产。可实现SiO2、SiN（ONON）多层薄膜堆叠结构和Thick TEOS 薄膜，在均匀性、颗粒度、粗糙度、应力及产能等方面实现技术突破，设备性能指标达同类产品水平。

NF-300H
HTM PECVD设备

产品特点
- 高产能设计和可实现多种薄膜沉积的快速切换
- 可实现多层SiO2，SiN（ONON）堆叠功能
- 满足300-600℃高温沉积需求
- PM腔内可进行多片wafer沉积和wafer自动升降旋转功能
- 通过S2安全认证